Российские ученые изменяют свойства графена для создания электронных проводящих систем с эффектом памяти

Российские ученые в коллаборации с коллегами из Испании и Финляндии в своей работе использовали фемтосекундное импульсное лазерное воздействие для химической модификации графена, что может применяться для создания молекулярных функциональных устройств. Результаты работы ученые представили в журнале Journal Of Physics D-Applied Physics. Исследования поддержаны грантом Российского научного фонда (РНФ).

Возможность точной химической «настройки» свойств молекул под конкретные функциональные задачи является основой для создания различных электронных устройств. При этом управление свойствами таких устройств в процессе их функционирования может происходить с использованием различных внешних источников. В своей работе ученые из Национального исследовательского университета «Московский институт электронной техники» изучили, как фемтосекундное импульсное ла- зерное воздействие может быть использовано для     изменения     физических     и  химических свойств графена. Химическая модификация графена открывает новый технологический путь для создания молекулярных функциональных устройств. Графен представляет собой двумерную (однослойную) аллотропную модификацию углерода. Из-за своих уникальных электрических и оптических свойств в наноэлектронике графен является альтернативной заменой кремнию в интегральных микросхемах.

Химическая модификации графена фемтосекундным  импульсным  лазерным воздействием.

«В работе была продемонстрирована возможность создания молекулярных  устройств по технологии «прямой печати», что открывает путь к кастомизированному изготовлению биологических сенсоров, датчиков и биологически совместимых функциональных устройств», — комментирует автор статьи, руководитель гранта РНФ, доктор технических наук Иван Бобринецкий.